[发明专利]制作半导体X射线检测器的方法有效
| 申请号： | 201580077775.1 | 申请日： | 2015-04-07 |
| 公开（公告）号： | CN107533145B | 公开（公告）日： | 2019-03-19 |
| 发明（设计）人： | 曹培炎;刘雨润 | 申请（专利权）人： | 深圳帧观德芯科技有限公司 |
| 主分类号： | G01T1/24 | 分类号： | G01T1/24 |
| 代理公司： | 深圳市六加知识产权代理有限公司 44372 | 代理人： | 罗水江 |
| 地址： | 518000 广东省深圳市前海深港合作区前*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 制作适合于检测x射线的装置的方法包括获得具有第一表面(124)和第二表面(128)的衬底(122)，其中衬底(122)包括衬底(122)中或衬底(122)上的电子系统(121)，以及所述第一表面(124)上的多个电触点(125)；获得包括第一X射线吸收层(110)的第一晶片，其中该第一X射线吸收层(110)包括电极；使第一晶片接合到衬底(122)，使得所述第一X射线吸收层(110)的电极电连接到电触点(125)中的至少一个。 | ||
| 搜索关键词： | 衬底 第一表面 电触点 电极电连接 检测x射线 第二表面 电子系统 晶片接合 电极 晶片 制作 半导体 | ||
【主权项】：
1.一种制作适合于检测x射线的装置的方法，所述方法包括：获得衬底，其具有第一表面和第二表面，其中所述衬底包括所述衬底中或所述衬底上的电子系统，其中所述衬底包括所述第一表面上的多个电触点；获得第一晶片，其包括第一X射线吸收层，其中所述第一X射线吸收层包括电极；使所述第一晶片接合到所述衬底，使得所述第一X射线吸收层的电极电连接到所述多个电触点中的至少一个；以及获得第二晶片，其包括第二X射线吸收层，其中所述第二X射线吸收层包括电极；以及使所述第二晶片接合到所述衬底，使得所述第二X射线吸收层的电极电连接到所述多个电触点中的至少一个。
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