[发明专利]保护电路及保护电路系统

摘要

本技术涉及能够对主电流的损耗进行抑制，并对与感测区域的确保相伴的制造成本的增加进行抑制的MOSFET的保护电路及具有该保护电路的保护电路系统。保护电路具有：电力用的第一MOSFET(1)，主电流流过该第一MOSFET；IGBT(5)，其与第一MOSFET并联连接，且来自主电流的分流流过该IGBT；检测用电阻(6)，其与IGBT串联连接；以及第一控制电路(4)，其基于施加至检测用电阻的电压值，对第一MOSFET的栅极电压进行控制，流过IGBT的分流的电流值相对于流过第一MOSFET的主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。

主权项

一种保护电路，其具有：电力用的第一MOSFET(1)，主电流流过该第一MOSFET(1)；IGBT(5)，其与所述第一MOSFET(1)并联连接，且来自所述主电流的分流流过该IGBT(5)；检测用电阻(6)，其与所述IGBT(5)串联连接；以及第一控制电路(4)，其基于施加至所述检测用电阻(6)的电压值，对所述第一MOSFET(1)的栅极电压进行控制，流过所述IGBT(5)的所述分流的电流值相对于流过所述第一MOSFET(1)的所述主电流的电流值之比大于或等于0.018％而小于或等于0.022％。