[发明专利]低损害自对准两性FINFET尖端掺杂有效
| 申请号： | 201580080418.0 | 申请日： | 2015-06-27 |
| 公开（公告）号： | CN107636838B | 公开（公告）日： | 2022-01-14 |
| 发明（设计）人： | J.T.卡瓦利罗斯;C.S.莫哈帕特拉;A.S.墨菲;W.拉克马迪;M.V.梅茨;G.德维;T.加尼;H.W.肯内尔 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/8258;H01L27/092 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;刘春元 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 单片的鳍式FET包含设置在第二Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体上的第一Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体材料中的多数载流子沟道。在诸如牺牲栅极叠层的掩模正覆盖沟道区域时，两性掺杂物的源被沉淀在暴露的鳍侧壁之上并被扩散到第一Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体材料中。两性掺杂物作为第一Ⅲ‑Ⅴ材料内的供体和第二Ⅲ‑Ⅴ材料内的受体来优先活化，给晶体管尖端掺杂提供第一和第二Ⅲ‑Ⅴ材料之间的p‑n结。横向隔离物被沉淀以覆盖鳍的尖端部分。未由掩模或隔离物所覆盖的鳍的区域中的源极/漏极区域通过尖端区域来电耦合到沟道。沟道掩模采用栅极叠层来替换。 | ||
| 搜索关键词： | 损害 对准 两性 finfet 尖端 掺杂 | ||
【主权项】：
一种单片晶体管，包括：Ⅲ‑Ⅴ异质结构，其设置在衬底上，所述异质结构包括设置在第二Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体材料上的第一Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体材料；栅极叠层，其设置在所述第一Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体材料的沟道区域之上；以及一对源极/漏极区域，其通过所述第一Ⅲ‑Ⅴ化合物半导体材料中的尖端区域来电耦合到所述沟道区域的相对端，所述尖端区域包括两性掺杂物。
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