[发明专利]半导体器件有效
| 申请号： | 201580081054.8 | 申请日： | 2015-07-03 |
| 公开（公告）号： | CN108140668B | 公开（公告）日： | 2021-11-19 |
| 发明（设计）人： | 鲍新宇;叶祉渊;吉恩-巴蒂斯特·品;埃罗尔·桑切斯;弗兰克·巴萨尼;蒂埃里·巴罗;雅恩·博古米罗维兹;吉恩-米歇尔·哈特曼 | 申请（专利权）人： | 应用材料公司;法国国家科研中心;法国原子能源与替代能源委员会 |
| 主分类号： | H01L29/04 | 分类号： | H01L29/04;H01L29/20;H01L21/02 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国;赵静 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明公开一种半导体器件，该半导体装置具有：半导体基板，该半导体基板具有含1,0,0平面和1,1,0平面的晶体结构和在1,1,0平面的方向上与该1,0,0平面形成约0.3度至约0.7度的角度的表面；和形成在该半导体基板上的化合物半导体层。该化合物半导体层无反相畴界且具有介于约200纳米至约1000纳米之间的厚度。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种半导体器件，包括：半导体基板，所述半导体基板具有包含<1,0,0>平面和<1,1,0>平面的晶体结构和在所述<1,1,0>平面的方向上与所述<1,0,0>平面形成约0.3度至约0.7度的角度的表面；和化合物半导体层，所述化合物半导体层形成在所述表面上。
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