[发明专利]太阳能电池单元及太阳能电池单元的制造方法在审
| 申请号： | 201580081082.X | 申请日： | 2015-07-02 |
| 公开（公告）号： | CN107750399A | 公开（公告）日： | 2018-03-02 |
| 发明（设计）人： | 森川浩昭;滨笃郎;幸畑隼人;过能慎太郎 | 申请（专利权）人： | 三菱电机株式会社 |
| 主分类号： | H01L31/0687 | 分类号： | H01L31/0687;H01L31/0352;H01L31/08 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所11038 | 代理人： | 贾成功 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 太阳能电池单元(1)具备p型杂质扩散层(3)，其形成于n型单晶硅基板(2)的一面侧；n型杂质扩散层(10)，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层(11)和n型的杂质元素以比第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层(12)、形成于n型单晶硅基板(2)的另一面侧、含有比n型单晶硅基板(2)高的浓度的n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于p型杂质扩散层(3)上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于第1n型杂质扩散层(11)上。第1n型杂质扩散层(11)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，第2n型杂质扩散层(12)的表面的n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。 | ||
| 搜索关键词： | 太阳能电池 单元 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种太阳能电池单元，其特征在于，具备：n型硅基板；p型杂质扩散层，其形成于所述n型硅基板的一面侧、含有p型的杂质元素；n型杂质扩散层，其具有n型的杂质元素以第1浓度扩散的第1n型杂质扩散层和n型的杂质元素以比所述第1浓度低的第2浓度扩散的第2n型杂质扩散层、形成于所述n型硅基板的另一面侧、且以比所述n型硅基板高的浓度含有n型的杂质元素；p型杂质扩散层上电极，其形成于所述p型杂质扩散层上；和n型杂质扩散层上电极，其形成于所述第1n型杂质扩散层上，所述第1n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×1020atoms/cm3以上且2×1021atoms/cm3以下，所述第2n型杂质扩散层的表面的所述n型的杂质元素的浓度为5×1019atoms/cm3以上且2×1020atoms/cm3以下。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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