[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201580082673.9 | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN107949882B | 公开（公告）日： | 2021-08-10 |
| 发明（设计）人： | 二山拓也;白川政信 | 申请（专利权）人： | 东芝存储器株式会社 |
| 主分类号： | G11C16/06 | 分类号： | G11C16/06;G11C16/02;G11C16/04 |
| 代理公司： | 北京律盟知识产权代理有限责任公司 11287 | 代理人： | 杨林勳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明的实施方式涉及的半导体存储装置具备：第1至第32存储单元；第1至第16位线，连接于第1至第16存储单元；第17至第32位线，连接于第17至第32存储单元；第1字线，连接于第1至第32存储单元的栅极；第1至第16读出放大器，在第1时序判定第1至第16存储单元中读出的数据；以及第17至第32读出放大器，在第2时序判定第17至第32存储单元中读出的数据。第1时序和所述第2时序不同。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，其特征在于，具备：第1至第32存储单元；第1至第16位线，连接于所述第1至第16存储单元，且连续地并排配置；第17至第32位线，连接于所述第17至第32存储单元，且连续地并排配置；第1字线，连接于所述第1至第32存储单元的栅极；第1至第16读出放大器，在第1时序判定所述第1至第16存储单元中读出的数据；以及第17至第32读出放大器，在第2时序判定所述第17至第32存储单元中读出的数据；且所述第1时序和所述第2时序不同。
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