[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质有效

专利信息
申请号: 201580082736.0 申请日: 2015-09-28
公开(公告)号: CN107924826B 公开(公告)日: 2021-08-20
发明(设计)人: 山口英人;广地志有 申请(专利权)人: 株式会社国际电气
主分类号: H01L21/268 分类号: H01L21/268
代理公司: 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 代理人: 金鲜英;李宏轩
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明可以提供一种能够进行均匀的基板处理的技术。本发明能够提供一种具有以下工序的技术:通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理基板的处理温度,由非接触式温度计测定直至达到处理温度的隔热板的温度变化的工序;由加热装置将在基板保持器中保持的基板加热直至处理温度,由非接触式温度计测定直至达到处理温度的基板的温度变化的工序;根据隔热板的温度变化的测定结果与基板的温度变化的测定结果,取得隔热板与基板的温度变化的相关关系的工序;基于非接触式温度计所测定的隔热板的温度与相关关系,控制加热装置来加热基板的工序。
搜索关键词: 半导体 装置 制造 方法 处理 以及 记录 介质
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,具有:通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理所述基板的处理温度,由非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述隔热板的温度变化的工序;由所述加热装置将在所述基板保持器中保持的所述基板加热直至所述处理温度,由所述非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述基板的温度变化的工序;根据所述隔热板的温度变化的测定结果与所述基板的温度变化的测定结果,取得所述隔热板与所述基板的温度变化的相关关系的工序;基于所述非接触式温度计测定的隔热板的温度与所述相关关系,控制所述加热装置来加热所述基板的工序。
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