[发明专利]半导体装置的制造方法、基板处理装置以及记录介质有效
申请号: | 201580082736.0 | 申请日: | 2015-09-28 |
公开(公告)号: | CN107924826B | 公开(公告)日: | 2021-08-20 |
发明(设计)人: | 山口英人;广地志有 | 申请(专利权)人: | 株式会社国际电气 |
主分类号: | H01L21/268 | 分类号: | H01L21/268 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人: | 金鲜英;李宏轩 |
地址: | 日本*** | 国省代码: | 暂无信息 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明可以提供一种能够进行均匀的基板处理的技术。本发明能够提供一种具有以下工序的技术:通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理基板的处理温度,由非接触式温度计测定直至达到处理温度的隔热板的温度变化的工序;由加热装置将在基板保持器中保持的基板加热直至处理温度,由非接触式温度计测定直至达到处理温度的基板的温度变化的工序;根据隔热板的温度变化的测定结果与基板的温度变化的测定结果,取得隔热板与基板的温度变化的相关关系的工序;基于非接触式温度计所测定的隔热板的温度与相关关系,控制加热装置来加热基板的工序。 | ||
搜索关键词: | 半导体 装置 制造 方法 处理 以及 记录 介质 | ||
【主权项】:
一种半导体装置的制造方法,具有:通过由加热装置供给的电磁波将在保持基板的基板保持器中保持的隔热板加热直至处理所述基板的处理温度,由非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述隔热板的温度变化的工序;由所述加热装置将在所述基板保持器中保持的所述基板加热直至所述处理温度,由所述非接触式温度计测定直至达到所述处理温度的所述基板的温度变化的工序;根据所述隔热板的温度变化的测定结果与所述基板的温度变化的测定结果,取得所述隔热板与所述基板的温度变化的相关关系的工序;基于所述非接触式温度计测定的隔热板的温度与所述相关关系,控制所述加热装置来加热所述基板的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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