[发明专利]半导体晶圆表面保护用粘合带及半导体晶圆的加工方法在审
| 申请号： | 201580083004.3 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN108028190A | 公开（公告）日： | 2018-05-11 |
| 发明（设计）人： | 大仓雅人 | 申请（专利权）人： | 古河电气工业株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/304 | 分类号： | H01L21/304;H01L21/301 |
| 代理公司： | 北京汇思诚业知识产权代理有限公司 11444 | 代理人： | 龚敏;王刚 |
| 地址： | 日本国东京都*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供在预切割法及预隐形法中抑制划偏、及能够在不将半导体晶圆破损或污染的情况下剥离的半导体晶圆表面保护用粘合带。本发明的半导体晶圆表面保护用粘合带(1)的特征在于，其具有基材树脂膜(2)和形成于上述基材树脂膜(2)的至少单面侧的粘合剂层(4)，上述基材树脂膜(2)具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，上述粘合剂层(4)为放射线固化型时在放射线固化后的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm，上述粘合剂层(4)为压敏型时加热至50℃时的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 表面 保护 粘合 加工 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体晶圆表面保护用粘合带，其特征在于，其具有基材树脂膜和形成于所述基材树脂膜的至少单面侧的放射线固化性的粘合剂层，所述基材树脂膜具有至少1层拉伸弹性模量为1～10GPa的刚性层，使所述粘合剂层进行放射线固化后的对于以JIS R 6253所规定的280号的耐水研磨纸精加工后的JIS G 4305所规定的厚度为1.5mm的不锈钢(Steel Use Stainless、SUS)的剥离角度30°下的剥离力为0.1～3.0N/25mm。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
