[发明专利]半导体纳米线装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201580083015.1 | 申请日： | 2015-09-10 |
| 公开（公告）号： | CN108028274B | 公开（公告）日： | 2021-09-03 |
| 发明（设计）人： | R.梅汉德鲁;思雅.S.廖;S.M.策亚 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 郑浩;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述具有腔间隔器的半导体纳米线装置和制造用于半导体纳米线装置的腔间隔器的方法。例如，半导体装置包含设置在衬底上方的多个垂直堆叠纳米线，纳米线中的每个包含离散沟道区。公共栅极电极堆叠环绕多个垂直堆叠纳米线的离散沟道区中的每个。一对电介质间隔器在公共栅极电极堆叠的任一侧上，所述一对电介质间隔器中的每个包含沿公共栅极电极的侧壁设置并且环绕垂直堆叠纳米线中的每个的离散部分的连续材料。一对源极和漏极区在所述一对电介质间隔器的任一侧上。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 纳米 线装 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：设置在衬底上方的多个垂直堆叠纳米线，所述纳米线中的每个包括离散沟道区；公共栅极电极堆叠，其环绕所述多个垂直堆叠纳米线的所述离散沟道区中的每个；在所述公共栅极电极堆叠的任一侧上的一对电介质间隔器，所述一对电介质间隔器中的每个包括沿所述公共栅极电极的侧壁设置并且环绕所述垂直堆叠纳米线中的每个的离散部分的连续材料；以及在一对电介质间隔器的任一侧上的一对源极和漏极区。
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