[发明专利]通过硅来分配功率的两侧上的金属有效
| 申请号： | 201580083354.X | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN108028241B | 公开（公告）日： | 2022-11-04 |
| 发明（设计）人： | D.W.纳尔逊;M.T.博尔;P.莫罗 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L23/48 | 分类号： | H01L23/48 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 姜冰;杨美灵 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种设备，包括电路结构，其包括装置层；以及接触部，其耦合到供应线并布线通过所述装置层，并且在第一侧上耦合到至少一个装置。一种方法，包括：将供应从封装衬底提供到电路结构的装置层中的至少一个晶体管；以及使用装置层的下侧上的供应线将供应分配到所述至少一个晶体管，并且通过将接触部从供应线布线通过装置层来接触装置侧上的所述至少一个晶体管。一种系统，包括封装衬底和管芯，所述管芯包括部署在装置层的下侧上并布线通过装置层并且耦合到装置侧上的多个晶体管装置中的至少一个的至少一个供应线。 | ||
| 搜索关键词： | 通过 分配 功率 两侧 金属 | ||
【主权项】：
1.一种设备，包括：包括装置层的电路结构，所述装置层包括多个晶体管装置，各自包括第一侧和相对的第二侧；供应线，部署在所述装置层的所述第二侧上；以及接触部，耦合到所述供应线并布线通过所述装置层，并且在所述第一侧上耦合到所述多个晶体管装置中的至少一个。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英特尔公司，未经英特尔公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201580083354.X/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：水闸
- 下一篇：具有反向掺杂的掺杂剂扩散屏障的高电子迁移率晶体管
