[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201580084162.0 | 申请日： | 2015-10-28 |
| 公开（公告）号： | CN108352321B | 公开（公告）日： | 2022-09-16 |
| 发明（设计）人： | 巢山拓郎 | 申请（专利权）人： | 奥林巴斯株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/3205 | 分类号： | H01L21/3205;H01L21/768;H01L23/522 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 李辉;于靖帅 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 半导体装置(1)具有：半导体元件(10)，其在第一主面(10SA)形成有半导体电路(11)，在第二主面(10SB)具有通孔(H10)，该通孔(H10)具有开口；第一布线(21A)，其配设于所述半导体元件(10)的所述第一主面(10SA)，与所述半导体电路(11)连接，该第一布线(21A)的一部分在所述通孔(H10)的底面露出；第一绝缘层(22A)，其覆盖所述第一布线(21A)；以及再布线(30)，其从在所述通孔(H10)的底面与所述第一布线(21A)接触的触头部(30A)经由所述通孔(H10)的内部延伸设置至所述第二主面(10SB)上，在所述第一布线(21A)上形成有第一贯通孔(H21A)，所述触头部(30A)与所述第一布线(21A)的多个面接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，其具有：半导体元件，其在第一主面形成有半导体电路，在与所述第一主面对置的第二主面具有通孔，该通孔具有开口；第一布线，其配设于所述半导体元件的所述第一主面，与所述半导体电路连接，该第一布线构成所述通孔的底面的一部分；第一绝缘层，其覆盖所述第一布线；以及再布线，其从在所述通孔的底面与所述第一布线接触的触头部经由所述通孔的内部延伸设置至所述第二主面上，其特征在于，在所述第一布线上形成有第一贯通孔，所述触头部与所述第一布线的多个面接触。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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