[发明专利]功率半导体装置有效

专利信息
申请号: 201580084964.1 申请日: 2015-12-04
公开(公告)号: CN108369943B 公开(公告)日: 2021-07-06
发明(设计)人: 荒木翔子;林田幸昌;伊达龙太郎 申请(专利权)人: 三菱电机株式会社
主分类号: H01L25/07 分类号: H01L25/07;H01L23/04;H01L25/18;H05K7/06
代理公司: 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 代理人: 何立波;张天舒
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 目的在于提供一种能够使结构要素的配置、位置关系及尺寸具有裕度的技术。功率半导体装置具有:基板,其配置有半导体芯片;电极(2),其一端固定于基板,该电极相对于基板设置为立置状;以及绝缘性的壳体(3),其收容电极(2),该壳体具有与电极(2)的另一端相对的部分。另外,功率半导体装置具有:导电性的螺母(4),其在壳体(3)的该部分贯通地插入于壳体(3);以及导电部件,其将电极(2)的另一端和螺母(4)电连接。
搜索关键词: 功率 半导体 装置
【主权项】:
1.一种功率半导体装置,其具有:基板,其配置有半导体芯片;电极,其一端固定于所述基板,该电极相对于所述基板设置为立置状;绝缘性的壳体,其收容所述电极,该壳体具有与所述电极的另一端相对的部分;导电性的螺母,其在所述壳体的所述部分贯通地插入于所述壳体;以及导电部件,其将所述电极的所述另一端和所述螺母电连接。
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