[发明专利]形成用于纳米线设备结构的自对准垫片的方法有效
| 申请号： | 201580085509.3 | 申请日： | 2015-12-24 |
| 公开（公告）号： | CN108369957B | 公开（公告）日： | 2022-03-01 |
| 发明（设计）人： | K.贾姆布纳坦;G.格拉斯;A.墨菲;J.S.江;S.金 | 申请（专利权）人： | 英特尔公司 |
| 主分类号： | H01L29/78 | 分类号： | H01L29/78;H01L21/336;H01L29/06 |
| 代理公司： | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人： | 周学斌;郑冀之 |
| 地址： | 美国加利*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 描述了形成自对准纳米线垫片结构的方法。实施例包括：形成包括第一纳米线和第二纳米线的沟道结构。邻近沟道结构形成源极/漏极结构，其中衬垫材料被布置在源极/漏极结构的侧壁的至少一部分上。在第一和第二纳米线之间形成纳米线垫片结构，其中纳米线垫片包括衬垫的被氧化部分。 | ||
| 搜索关键词： | 形成 用于 纳米 设备 结构 对准 垫片 方法 | ||
【主权项】：
1.一种微电子结构，其包括：沟道结构，其包括第一纳米线和第二纳米线；邻近纳米线沟道结构的源极/漏极结构，其中所述源极/漏极结构包括邻近所述源极/漏极结构的侧壁区域的衬垫，以及其中所述衬垫邻近第一和第二纳米线中的至少一个；以及所述第一纳米线和所述第二纳米线之间的内部垫片结构，其中所述内部垫片结构包括衬垫材料的经化学转化的部分。
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