[发明专利]具有电磁干扰屏蔽的半导体封装有效

专利信息
申请号: 201580085521.4 申请日: 2015-12-22
公开(公告)号: CN108369939B 公开(公告)日: 2022-07-01
发明(设计)人: R.C.迪亚斯;N.R.拉拉维卡尔 申请(专利权)人: 英特尔公司
主分类号: H01L23/62 分类号: H01L23/62;H01L23/28
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 徐予红;杨美灵
地址: 美国加利*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 公开了具有电磁干扰(EMI)屏蔽的半导体封装及用于其制作的方法。半导体封装可容纳单个电子组件,或者可以是系统级封装(SiP)实现。可在半导体封装的顶部上以及沿半导体封装的周边提供EMI屏蔽。周边上的EMI屏蔽可由部署在模塑的侧壁上的固化导电墨或固化导电浆料形成,所述模塑包封在半导体封装上提供的电子组件。EMI屏蔽的顶部部分可以是在模塑的顶表面上提供的层压金属片。半导体封装还可具有带有模塑中的导电墨填充的沟槽的EMI屏蔽的垂直部分,其可将一个或多个电子组件与半导体封装的其它电子组件分开。
搜索关键词: 具有 电磁 干扰 屏蔽 半导体 封装
【主权项】:
1.一种微电子封装,包括:具有顶部衬底表面和衬底外周边的衬底,所述顶部衬底表面具有在其上安装的电子组件,并且所述顶部衬底表面沿所述衬底外周边的至少一部分具有导电迹线;在所述顶部衬底表面上方提供的模塑化合物,其具有底部模塑表面、顶部模塑表面和大体上覆盖所述衬底外周边的模塑侧壁;在所述顶部模塑表面上方提供的金属片;以及在所述模塑侧壁上提供的环氧化物,其中所述环氧化物包括导电颗粒,并且其中所述环氧化物电耦合到所述金属片。
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