[发明专利]三氧化钼微纳阵列材料的制备方法

摘要

本发明属于纳米材料与纳米技术领域。三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将四水合钼酸铵[(NH₄)₆Mo₇O₂₄.4H₂O]溶解于去离子水中，制得钼酸铵溶液；2）滴加硝酸，得到含硝酸的混合溶液；3）将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45^o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中；4）在一定温度下反应一定时间后，自然冷却至室温；5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后烘干，即得到三氧化钼微纳阵列材料。该方法制备工艺十分简单，对设备要求低，成本低廉，重现性好，易于控制三氧化钼微纳米阵列材料的制备工艺，符合环境要求，为一维三氧化钼微纳阵列材料的制备提供了一条新思路。经气敏性能测试，三氧化钼微纳阵列材料在室温下即对三甲胺(TMA)具有气敏响应。

主权项

三氧化钼微纳阵列材料的制备方法，其特征在于，包括如下步骤：1）将四水合钼酸铵[(NH₄)₆Mo₇O₂₄.4H₂O]溶解于去离子水中，制得钼酸铵溶液；2）在不断搅拌的情况下在钼酸铵溶液中滴加浓硝酸，得到含硝酸的混合溶液；3）取干净玻璃片裁成边长为1.5 cm的正方形后清洗干净，将洗净的玻璃片与烧杯内壁呈45^o角浸放于上述含硝酸的混合溶液中；4）将浸有玻璃片的含硝酸的混合溶液在一定温度下反应一定时间后，自然冷却至室温；5）取出玻璃片，表面得到白色附着产物，利用去离子水反复冲洗后烘干，即得到三氧化钼（MoO₃）微纳阵列材料。