[发明专利]一种氮化镓基LED外延结构在审
申请号: | 201610003586.6 | 申请日: | 2016-01-04 |
公开(公告)号: | CN105489720A | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 冯雅清 | 申请(专利权)人: | 冯雅清 |
主分类号: | H01L33/06 | 分类号: | H01L33/06;H01L33/14;H01L33/30;H01L33/44 |
代理公司: | 上海伯瑞杰知识产权代理有限公司 31227 | 代理人: | 唐燕洁 |
地址: | 200135 上海市浦*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本发明涉及一种氮化镓基LED外延结构,属于氮化物半导体发光器件的外延生长技术领域。一种氮化镓基LED外延结构,包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN:Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN:Mg层,其特征在于,在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5-100nm的低温p型InAlGaN层。本发明通过在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层低温p型InAlGaN层,其生长温度为600-900℃,不会使在其之前生长的InGaN/GaN多量子阱层遭到破坏,从而避免了影响发光二极管的发光效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 氮化 led 外延 结构 | ||
【主权项】:
一种氮化镓基LED外延结构,包括在衬底层上依次生长的GaN缓冲层、uGaN层、n型GaN:Si层、InGaN/GaN多量子阱层、p型AlGaN电子阻挡层和p型GaN:Mg层,其特征在于,在InGaN/GaN多量子阱层和p型AlGaN电子阻挡层之间插入一层厚度为5‑100nm的低温p型InAlGaN层。
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