[发明专利]半导体熔丝及其制法有效
| 申请号： | 201610004808.6 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN105762139B | 公开（公告）日： | 2018-07-31 |
| 发明（设计）人： | J·辛格;A·米塔尔 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L23/62 | 分类号： | H01L23/62 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 开曼群岛;KY |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体熔丝及其制法，其提出具有外延熔丝连接区的半导体熔丝及其制法。该方法包括：制造包含以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区的半导体熔丝，该制造包括：在该阳极区和该阴极区之间以外延方式形成该熔丝连接区，其中，该熔丝连接区有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝形成断路。该半导体熔丝包括：以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区，其中，该熔丝连接区包括外延结构且有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝的形成断路，其中，该外延结构与该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区至少部分结晶对准。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 及其 制法 | ||
【主权项】：
1.一种制造半导体结构的方法，包括：制造半导体熔丝，该半导体熔丝包括以熔丝连接区电性连接的阳极区和阴极区，且该制造包括：以外延方式在该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区之间形成该熔丝连接区，其中，该熔丝连接区有助于在该阳极区和该阴极区之间施加编程电流时令该半导体熔丝形成断路，其中，以外延方式形成该熔丝连接区包括形成多个熔丝链，其中，该多个熔丝链的其中一个熔丝链有助于在施加该编程电流时令该半导体熔丝形成断路，而该多个熔丝链的另一熔丝链有助于在该半导体熔丝的该阳极区和该阴极区之间施加另一个编程电流时令该半导体熔丝形成断路。
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