[发明专利]半导体装置及其制造方法在审
| 申请号： | 201610005758.3 | 申请日： | 2016-01-05 |
| 公开（公告）号： | CN106941097A | 公开（公告）日： | 2017-07-11 |
| 发明（设计）人： | 张维哲;田中义典 | 申请（专利权）人： | 华邦电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/8242 | 分类号： | H01L21/8242;H01L27/108 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种半导体装置及其制造方法，包括提供一半导体基板；形成多个位线结构于半导体基板上方，其中位线结构之间包括多个沟槽；形成一第一绝缘层顺应性覆盖沟槽；沉积一第二绝缘层于沟槽中和第一绝缘层上；通过一自对准接触(self-aligned contact；SAC)刻蚀工艺在位线结构之间形成多个电容接触孔(capacitor contact hole)；形成一第一接触件于电容接触孔中；形成一气隙于第一接触件周围；以及形成一第二接触件于第一接触件上，其中第二接触件与第一接触件构成一电容接触件(capacitor contact)。本发明亦提供一种半导体装置。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置的制造方法，其特征在于，包括：提供一半导体基板；形成多个位线结构于该半导体基板上方，其中该些位线结构之间包括多个沟槽；形成一第一绝缘层顺应性覆盖该些沟槽；沉积一第二绝缘层于该些沟槽中和该第一绝缘层上；通过一自对准接触刻蚀工艺在该些位线结构之间形成多个电容接触孔；形成一第一接触件于该些电容接触孔中；形成一气隙于该第一接触件周围；以及形成一第二接触件于该第一接触件上，其中该第二接触件与该第一接触件构成一电容接触件。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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