[发明专利]发光器件和发光器件封装有效
申请号: | 201610006429.0 | 申请日: | 2011-02-16 |
公开(公告)号: | CN105470363B | 公开(公告)日: | 2018-07-20 |
发明(设计)人: | 丁焕熙;李尚烈;文智炯;宋俊午;崔光基 | 申请(专利权)人: | LG伊诺特有限公司 |
主分类号: | H01L33/44 | 分类号: | H01L33/44;H01L33/52;H01L33/00 |
代理公司: | 中原信达知识产权代理有限责任公司 11219 | 代理人: | 周燕;夏凯 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 韩国;KR |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明公开了发光器件和发光器件封装。发光器件包括:发光结构,该发光结构包括第一导电半导体层、在第一导电半导体层上的有源层、以及在有源层上的第二导电半导体层;粘附层,该粘附层接触第一导电半导体层的顶表面;第一电极,该第一电极接触第一导电半导体的顶表面和粘附层的顶表面;以及第二电极,该第二电极接触第二导电半导体层,其中接触第一电极的粘附层与第二电极隔开。 | ||
搜索关键词: | 发光 器件 封装 | ||
【主权项】:
1.一种发光器件包括:发光结构,所述发光结构包括:第一导电半导体层、所述第一导电半导体层之上的有源层以及所述有源层之上的第二导电半导体层;透射电极层,所述透射电极层位于所述第二导电半导体层之上;粘附层,所述粘附层位于所述第一导电半导体层和所述第二导电半导体层之上;第一电极,所述第一电极位于所述第一导电半导体层之上;和第二电极,所述第二电极位于所述第二导电半导体层之上,其中所述透射电极层与所述第二导电半导体层上的所述粘附层的一端隔开,以及其中,接触所述第一导电半导体层的顶表面的所述第一电极的底表面具有所述第一电极的顶表面的10%至95%的面积。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于LG伊诺特有限公司,未经LG伊诺特有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201610006429.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:量子点封装结构及其制备方法
- 下一篇:一种超薄多晶硅太阳能电池片的制备方法