[发明专利]双极型晶体管及其形成方法有效
| 申请号： | 201610006633.2 | 申请日： | 2016-01-06 |
| 公开（公告）号： | CN106952950B | 公开（公告）日： | 2020-05-08 |
| 发明（设计）人： | 杨晓蕾;李勇 | 申请（专利权）人： | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/73 | 分类号： | H01L29/73;H01L21/331 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 吴敏 |
| 地址： | 201203 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种双极型晶体管及其形成方法，所述双极型晶体管的形成方法包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；在所述第一类型掺杂区部分表面形成第一类型重掺杂层。所述方法可以提高形成的双极型晶体管的集成度，且制作工艺与CMOS制作工艺兼容。 | ||
| 搜索关键词： | 双极型 晶体管 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
一种双极型晶体管的形成方法，其特征在于，包括：提供半导体衬底，所述半导体衬底表面形成有鳍部；在所述半导体衬底表面形成隔离层，所述隔离层表面低于鳍部顶部表面，且覆盖鳍部的部分侧壁；在所述半导体衬底和鳍部内形成第二类型掺杂阱；在所述鳍部内形成第一类型掺杂区；在所述鳍部内形成第二类型掺杂区，所述第一类型掺杂区和第二类型掺杂区沿鳍部长度方向分布；在所述第一类型掺杂区的部分表面以及第二类型掺杂区表面形成第二类型重掺杂层；在所述第一类型掺杂区部分表面形成第一类型重掺杂层。
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