[发明专利]阵列基板及其制备方法、显示装置在审
申请号: | 201610007037.6 | 申请日: | 2016-01-05 |
公开(公告)号: | CN105428313A | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 马应海;李良坚;左岳平 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L21/768;H01L27/12;H01L27/32 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 柴亮;张天舒 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明提供一种阵列基板及其制备方法、显示装置,属于显示技术领域,其可解决现有的阵列基板制备工艺复杂的问题。本发明的制备方法包括:在基底上方通过构图工艺形成包括源极和漏极的图形;形成第一绝缘层;通过构图工艺形成包括有源层的图形;形成第二绝缘层,并在位于源、漏极上方的第一绝缘层和第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔;在位于有源层的源极接触区和漏极接触区上方的第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔;通过构图工艺形成包括第一连接线、第二连接线、像素电极的图形;第一连接线通过第一过孔和第三过孔将源极与有源层的源极接触区连接;第二连接线通过第二过孔和第四过孔将漏极与有源层的漏极接触区以及像素电极连接。 | ||
搜索关键词: | 阵列 及其 制备 方法 显示装置 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,包括如下步骤:在基底上方,通过构图工艺形成包括薄膜晶体管源极和漏极的图形;形成第一绝缘层;通过构图工艺形成包括薄膜晶体管有源层的图形;形成第二绝缘层,并在位于所述源极和所述漏极上方的所述第一绝缘层和所述第二绝缘层中层刻蚀形成第一过孔和第二过孔;在位于所述有源层的源极接触区和漏极接触区上方的所述第二绝缘层中刻蚀形成第三过孔和第四过孔;通过构图工艺形成包括第一连接线、第二连接线、像素电极的图形;其中,所述第一连接线通过所述第一过孔和所述第三过孔将所述源极与所述有源层的源极接触区连接;所述第二连接线通过所述第二过孔和所述第四过孔将所述漏极与所述有源层的漏极接触区,以及所述像素电极连接。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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