[发明专利]光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀有效
申请号: | 201610015069.0 | 申请日: | 2011-02-15 |
公开(公告)号: | CN105609587B | 公开(公告)日: | 2017-12-22 |
发明(设计)人: | O·舒尔茨-韦特曼;D·克拉夫茨;D·德赛斯特;A·特纳 | 申请(专利权)人: | 泰特拉桑有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 永新专利商标代理有限公司72002 | 代理人: | 邵伟 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | 本发明涉及一种光电设备通过光学涂层局部剥离而实现的精细线金属敷镀。一种方法,包括提供基材和在基材上方的层;在所述层上面提供图案化的抗蚀体,所述图案化的抗蚀体暴露所述层的第一部分并覆盖所述层的第二部分;在图案化的抗蚀体和所述层的暴露第一部分的上面适形地沉积介电层;在图案化的抗蚀体上面的介电层中提供一个或更多个开口,所述一个或更多个开口暴露图案化的抗蚀体的一部分;以及藉由图案化的抗蚀体的所暴露的部分将图案化的抗蚀体暴露于抗蚀体移除机构,由此移除图案化的抗蚀体和图案化的抗蚀体上面的介电层,所述移除暴露所述层的第二部分并在所述层的第一部分上面留有基本共面的介电图案。 | ||
搜索关键词: | 光电 设备 通过 光学 涂层 局部 剥离 实现 精细 金属 | ||
【主权项】:
一种在基材上制造金属栅格图案的方法,包括:提供基材;在所述基材上面提供金属薄膜;在所述金属薄膜上面提供图案化的抗蚀体,所述图案化的抗蚀体暴露所述金属薄膜的第一部分并覆盖所述金属薄膜的第二部分;移除金属薄膜的所暴露的第一部分以暴露所述基材的部分,所述移除产生了在图案化的抗蚀体下面的金属栅格图案;在图案化的抗蚀体和所述基材的暴露部分的上面适形地沉积介电层;在图案化的抗蚀体上面的介电层中提供一个或更多个开口,所述一个或更多个开口暴露图案化的抗蚀体的一部分;以及藉由图案化的抗蚀体的所暴露的部分将图案化的抗蚀体暴露于抗蚀体移除机构,由此移除图案化的抗蚀体和图案化的抗蚀体上面的介电层,所述移除在所述基材上面留有基本共面的金属栅格图案和介电图案。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
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H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的