[发明专利]IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT‑LCD阵列基板

摘要

本发明提供一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法及IPS型TFT‑LCD阵列基板。本发明的IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法，将像素电极和公共电极采用同一透明导电层制得，且像素电极和公共电极下方的绝缘保护层上设有数个相互平行的条状的沟道，像素电极与公共电极沿沟道两侧的凸台交替分布且延伸至沟道的侧壁上，从而增大了像素电极和公共电极在垂直于基板方向的面积，增加了水平电场，同时也增大了存储电容，进而提高了液晶面板的显示质量。

主权项

一种IPS型TFT‑LCD阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供基板(10)，在所述基板(10)上沉积栅极金属层，并对所述栅极金属层进行图案化处理，得到栅极(11)及栅极扫描线(20)；步骤2、在栅极金属层上沉积栅极绝缘层(12)，所述栅极绝缘层(12)上沉积一层非晶硅层，并对非晶硅层进行N型掺杂后，对所述非晶硅层进行图案化处理，得到对应于所述栅极(11)上方的半导体层(13)；步骤3、在所述半导体层(13)、及栅极绝缘层(12)上沉积源漏极金属层，并对所述源漏极金属层进行图案化处理，得到源极(14)、漏极(15)、及数据线(30)，所述源极(14)和漏极(15)分别与所述半导体层(13)的两端相接触；其中，数据线(30)与栅极扫描线(20)围出数个像素区域；步骤4、在所述源漏极金属层上形成绝缘保护层(16)，并对绝缘保护层(16)进行图案化处理，在所述绝缘保护层(16)上形成对应于所述漏极(15)上方的过孔(161)和位于像素区域内的数个相互平行的条状的沟道(162)；步骤5、在所述绝缘保护层(16)上沉积一层透明导电层，并对所述透明导电层进行图案化处理，得到像素电极(17)及公共电极(18)，所述像素电极(17)通过过孔(161)与漏极(15)相接触，所述像素电极(17)与公共电极(18)间隔设置，在每一像素区域内，所述像素电极(17)与公共电极(18)沿沟道(162)两侧的凸台交替分布且延伸至沟道(162)的侧壁上。