[发明专利]CMOS图像传感器像元合并读出电路结构及信号处理读出方法有效
| 申请号： | 201610020794.7 | 申请日： | 2016-01-13 |
| 公开（公告）号： | CN105516625B | 公开（公告）日： | 2018-10-19 |
| 发明（设计）人： | 解宁;丁毅;王欣;李梧萤;陈世军 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海技术物理研究所 |
| 主分类号： | H04N5/374 | 分类号： | H04N5/374;H04N5/3745;H04N5/378 |
| 代理公司： | 上海新天专利代理有限公司 31213 | 代理人： | 郭英 |
| 地址： | 200083 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种CMOS图像传感器像元合并读出电路结构及信号处理读出方法。该结构包括列总线，列放大器，列读出复位开关、列选通开关，列合并电容，列合并控制开关，列合并总线，列合并输出开关，行合并电容，合并复位开关，行合并控制开关，行合并总线及输出放大器。系统工作时，由列总线依次选取待合并像元所在行，通过列合并控制开关和行合并控制开关完成行列像元合并操作，最终经输出放大器输出像元合并后的信号。本发明的优点在于实现了CMOS图像传感器任意规模的像元合并功能，同时提升了信噪比和帧频。 | ||
| 搜索关键词： | cmos 图像传感器 合并 读出 电路 结构 信号 处理 方法 | ||
【主权项】：
1.一种CMOS图像传感器像元合并读出电路结构，包括列总线，列放大器，列读出复位开关，列选通开关，列合并电容，列合并控制开关，列合并总线，列合并输出开关，行合并电容，合并复位开关，行合并控制开关，行合并总线及输出放大器，其特征在于：所述的列总线连接到列读出复位开关与列放大器并联结构的输入端，列选通开关连接到列读出复位开关与列放大器并联结构的输出端后，通过列选通开关连接到列合并电容上；列合并总线跨接在各列的列合并电容上，每两个跨接结点之间设有一个列合并控制开关用于列合并操作；合并复位开关与行合并电容并联，其并联结构的输入端连接在列合并控制开关的输出端，行合并总线跨接在各列的行合并电容上，每两个跨接结点之间设有一个行合并控制开关用于行合并操作，行合并控制开关的输出端连接到输出放大器的输入端；所述CMOS图像传感器像元合并读出电路结构工作时，由列总线依次选取待合并像元所在行，通过列合并控制开关和行合并控制开关完成行列像元合并操作，最终经输出放大器输出像元合并后的信号。
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