[发明专利]低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法

摘要

本发明提供一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，该方法通过连续两次光阻灰化和去光阻处理将离子掺杂后残留的固化光阻完全去除干净，有效解决光阻层在第一次灰化处理之前某些区域可能覆盖有杂质颗粒而阻挡第一次灰化处理造成的固化光阻残留的问题，能够改善栅极绝缘层和层间绝缘层的界面清洁度，避免界面问题导致的产品良率下降。

主权项

1.一种低温多晶硅TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤1、提供一衬底基板(10)，在所述衬底基板(10)上形成图案化的遮光层(11)，在所述遮光层(11)与衬底基板(10)上沉积覆盖绝缘缓冲层(12)；步骤2、在所述绝缘缓冲层(12)上形成对应于所述遮光层(11)的图案化的低温多晶硅层(20)；步骤3、在所述低温多晶硅层(20)与绝缘缓冲层(12)上涂布光阻材料，图案化所述光阻材料，形成光阻层(30)，暴露出至少部分低温多晶硅层(20)的两端区域；步骤4、以所述光阻层(30)为遮蔽层，对相应低温多晶硅层(20)的两端区域进行一种类型的离子掺杂，形成低温多晶硅半导体层(20’)；步骤5、进行第一次光阻灰化和去光阻处理；步骤6、进行第二次光阻灰化和去光阻处理，以完全去除光阻层(30)；步骤7、在所述低温多晶硅半导体层(20’)及绝缘缓冲层(12)上依次制作栅极绝缘层(31)、栅极(41)、层间绝缘层(32)、源/漏极(42)、平坦层(50)、底层电极(60)、保护层(70)、及顶层电极(80)；所述绝缘缓冲层(12)、栅极绝缘层(31)、层间绝缘层(32)、平坦层(50)、及保护层(70)的材料均为氧化硅、氮化硅中的一种或两种的复合。