[发明专利]一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法

摘要

一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法，属于稀土磁性材料技术领域。本发明将烧结钕铁硼磁粉进行半致密化烧结，致密度为90％‑95％；再将低熔点镝合金扩散源覆盖在半致密化烧结钕铁硼周围在真空烧结炉中1040‑1080℃烧结2‑3h，再经过900‑940℃一级回火1‑3h和480‑550℃二级回火2‑4h，制备得到高磁性烧结钕铁硼材料。在半致密化钕铁硼致密化烧结过程中，扩散源熔化为液态包覆在半致密化钕铁硼表面，加速Dy、Cu、Al、Ni等元素在晶界的扩散，提高扩散层的深度。扩散源在烧结过程中直接进行晶界扩散，扩散更均匀，不需要再单独进行晶界扩散热处理，也可以省去制成细粉并表面涂覆的过程。

主权项

一种晶界扩散获得高磁性烧结钕铁硼的方法，其特征在于，包括以下步骤：(1)将烧结钕铁硼粉在1.2‐2.0T的磁场下进行取向压型；(2)将步骤(1)中压型完成的磁块进行150‐220Mpa冷等静压，保压20s，使其压型成为生坯；(3)将步骤(2)中生坯放入真空烧结炉中进行真空半致密烧结，致密度为90％‐95％，烧结温度为900‐950℃，保温时间为1‐3h；(4)将扩散合金源覆盖在步骤(3)中半致密烧结钕铁硼的周围，在真空烧结炉中进行真空烧结、回火，制得最终磁体；其中，步骤(4)中所述扩散合金源为低熔点镝合金：Dy‐Cu、Dy‐Al、Dy‐Ni或Dy‐Ni‐Al，Dy原子百分数含量为65‐80％。