[发明专利]TFT阵列基板

摘要

本发明提供一种TFT阵列基板，通过增大位于遮光区的TFT(900)的漏极(420)的面积，使得所述漏极(420)与部分公共电极(600)的水平投影重叠，漏极(420)与公共电极(600)构成第一存储电容(Cst1)，像素电极(800)与公共电极(600)构成第二存储电容(Cst2)，由于像素电极(800)与漏极(420)相接触形成电性连接，二者等电位，第一存储电容(Cst1)与第二存储电容(Cst2)并联构成存储电容，该存储电容的容量等于第一存储电容(Cst1)和第二存储电容(Cst2)的容量之和，能够在不降低开口率的前提下增加存储电容的容量，改善交叉串扰、影像残留等问题，提升产品的显示质量。

主权项

一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：衬底基板(100)、设于所述衬底基板(100)上的缓冲层(110)、设于所述缓冲层(110)上的数个呈阵列式排布的TFT(900)、设于所述TFT(900)上的平坦层(500)、设于所述平坦层(500)上的公共电极(600)、设于所述公共电极(600)上的保护层(700)、及设于所述保护层(700)上的图案化的像素电极(800)；所述TFT(900)包括：设于所述缓冲层(110)上的多晶硅半导体层(200)、覆盖所述半多晶硅导体层(200)的栅极绝缘层(310)、于所述多晶硅半导体层(200)上方设于所述栅极绝缘层(310)上的栅极(410)、覆盖所述栅极(410)与栅极绝缘层(310)的层间绝缘层(320)、及设于所述层间绝缘层(320)上的源极与漏极(420)；所述像素电极(800)与所述漏极(420)电性连接；所述漏极(420)与部分公共电极(600)的水平投影重叠；所述漏极(420)与所述公共电极(600)构成第一存储电容(Cst1)，所述像素电极(800)与公共电极(600)构成第二存储电容(Cst2)，所述第一存储电容(Cst1)与第二存储电容(Cst2)并联构成存储电容(Cst)。