[发明专利]一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法有效
| 申请号： | 201610038229.3 | 申请日： | 2016-01-20 |
| 公开（公告）号： | CN106991201B | 公开（公告）日： | 2020-08-28 |
| 发明（设计）人： | 陈静;黄建强;罗杰馨;柴展;吕凯;何伟伟 | 申请（专利权）人： | 中国科学院上海微系统与信息技术研究所 |
| 主分类号： | G06F30/20 | 分类号： | G06F30/20 |
| 代理公司： | 上海泰能知识产权代理事务所 31233 | 代理人： | 宋缨 |
| 地址： | 200050 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明提供一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。本发明采用了与主晶体管分立的方式进行参数提取，细化了物理模型中各个区域的敏感参数，提高了参数拟合的准确度，可以准确地拟合出SOI MOSFET受总剂量辐射效应影响时在亚阈值区产生的hump效应，模型以Bin模型卡的形式存在，可以仿真全区域尺寸器件总剂量效应。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi mosfet 剂量 模型 参数 确定 方法 | ||
【主权项】：
一种SOI MOSFET总剂量模型参数确定方法，其特征在于，包括如下步骤：S1：获取SOI MOSFET在不同剂量辐照下开、关两种工作状态下的转移特性数据与传输特性数据；S2：筛选步骤S1得到的数据，并导入测试数据到参数提取软件；S3：提取上边角等效晶体管参数及场氧侧壁等效晶体管参数；S4：导出总剂量集约模型卡文件；S5：导入各个单点的总剂量模型到所述参数提取软件，生成全区域的总剂量Bin模型卡文件。
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