[发明专利]一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置在审
| 申请号： | 201610040536.5 | 申请日： | 2016-01-21 |
| 公开（公告）号： | CN105470310A | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 秦纬 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12;H01L27/32;G02F1/136 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 黄灿;胡影 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明提供一种薄膜晶体管及其制作方法、阵列基板和显示装置，该薄膜晶体管的制作方法包括：形成互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管。以金属氧化物作为半导体层材料的互补型薄膜晶体管具有均一性好，迁移率高，功耗低等优点，可应用于大面积的显示装置。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 薄膜晶体管 及其 制作方法 阵列 显示装置 | ||
【主权项】：
一种薄膜晶体管，其特征在于，所述薄膜晶体管为互补型薄膜晶体管，所述互补型薄膜晶体管包括N型金属氧化物薄膜晶体管和P型金属氧化物薄膜晶体管。
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