[发明专利]薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板

摘要

一种薄膜晶体管阵列基板及制作方法与液晶显示面板，该薄膜晶体管阵列基板包括：衬底；形成在衬底上的扫描线、栅电极和存储电容电极线；覆盖在扫描线、栅电极、存储电容电极线上的栅绝缘层；形成在栅绝缘层上的半导体层、数据线、源电极、漏电极、第一电极、第二电极和电极引线，其中半导体层具有第一区域和第二区域；第一电极和第二电极相互间隔且均与半导体层的第二区域接触，第一电极、半导体层的第二区域与第二电极之间形成金属‑半导体‑金属结构的光探测器，栅绝缘层中形成有过孔，第一电极与第二电极之一与电极引线相连并通过电极引线引出，第一电极与第二电极之另一通过栅绝缘层中的过孔与栅绝缘层下方的存储电容电极线电连接。

主权项

1.一种薄膜晶体管阵列基板，包括：衬底(21)；形成在所述衬底(21)上的扫描线(22)、栅电极(231)和存储电容电极线(24)，所述栅电极(231)与所述扫描线(22)电连接；覆盖在所述扫描线(22)、所述栅电极(231)和所述存储电容电极线(24)上的栅绝缘层(25)；形成在所述栅绝缘层(25)上的半导体层(26)、数据线(27)、源电极(233)和漏电极(234)，其中所述扫描线(22)与所述数据线(27)交叉限定多个像素区域，每个像素区域内形成有像素电极(28)，所述半导体层(26)具有第一区域(261)，所述源电极(233)和所述漏电极(234)相互间隔且均与所述半导体层(26)的第一区域(261)接触，所述源电极(233)与所述漏电极(234)之一与所述数据线(27)电连接，所述源电极(233)与所述漏电极(234)之另一与所述像素电极(28)电连接；其特征在于，所述栅绝缘层(25)上还形成有第一电极(41)、第二电极(42)和电极引线(43)，所述半导体层(26)还具有第二区域(262)，所述第一电极(41)和所述第二电极(42)相互间隔且均与所述半导体层(26)的第二区域(262)接触，所述第一电极(41)、所述半导体层(26)的第二区域(262)与所述第二电极(42)之间形成金属‑半导体‑金属结构的光探测器(40)，所述栅绝缘层(25)中形成有过孔(251)，所述第一电极(41)与所述第二电极(42)之一与所述电极引线(43)相连并通过所述电极引线(43)引出，所述第一电极(41)与所述第二电极(42)之另一通过所述过孔(251)与所述存储电容电极线(24)电连接；所述光探测器(40)的数量为多个，分布在所述衬底(21)上；所述薄膜晶体管阵列基板采用双扫描线像素阵列结构，两条相邻数据线(27)之间设有两列像素电极(28)，每条数据线(27)与位于该条数据线(27)两侧的两列像素电极(28)相连，上下相邻两行的像素电极(28)之间设有两条紧邻的扫描线(22)，同一行的像素电极(28)连接在位于该行像素电极(28)上下两侧的两条扫描线(22)上，所述光探测器(40)设置在两条相邻数据线(27)之间的两列像素电极(28)之间。