[发明专利]一种TFT阵列基板及其制作方法

摘要

本发明公开了一种TFT阵列基板及其制作方法，通过在衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，并将该类石墨烯结构的二维层状半导体材料通过转印的方式转印到柔性基板指定的位置上以用作阵列基板的半导体有源层，因此本发明的TFT阵列基板的半导体有源层采用类石墨烯结构的二维层状半导体材料，使得阵列基板具有非常高的迁移率及机械性能，抗挠性优异，并且大大缩减了基板的厚度。

主权项

1.一种TFT阵列基板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：提供一硬性基板；提供一柔性基板，所述柔性基板设置于所述硬性基板上；在所述柔性基板上形成第一绝缘层，其中在所述第一绝缘层上方预设指定位置；提供一衬底基板；在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料，其中所述类石墨烯结构的二维层状半导体材料具体为MoS2，所述在所述衬底基板上形成类石墨烯结构的二维层状半导体材料的步骤具体包括：在所述衬底基板上形成Mo图形，所述Mo图形的位置与所述指定位置相对应；采用MoO3和S材料在600℃至800℃的温度之间进行化学气相沉积，以在所述Mo图形上形成二维层状的MoS2，单层所述二维层状MoS2的厚度为0.65nm；在所述衬底基板及所述柔性基板上作对应的标记，利用所述对应的标记作对准进行转印，以将所述二维层状半导体材料转印到所述指定位置上；对所述二维层状半导体材料进行氢化处理，以形成半导体有源层。