[发明专利]具有薄化介电材料的结构有效
| 申请号： | 201610054742.1 | 申请日： | 2016-01-27 |
| 公开（公告）号： | CN106601739B | 公开（公告）日： | 2020-05-12 |
| 发明（设计）人： | R·鲍;T·安多;A·达斯古普塔;K·赵;U·权;S·A·克里希南 | 申请（专利权）人： | 格罗方德半导体公司 |
| 主分类号： | H01L27/092 | 分类号： | H01L27/092;H01L21/8238;H01L29/51 |
| 代理公司： | 北京戈程知识产权代理有限公司 11314 | 代理人： | 程伟;王锦阳 |
| 地址： | 英属开曼群*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明是涉及具有薄化介电材料的结构，是关于半导体结构，并且更具体地说，是关于具有薄化介电材料的结构及制造方法。本方法包括在基板上沉积高k介电质。本方法更包括直接在该高k介电质上沉积氮化钛膜，并同时蚀刻该高k介电质。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 薄化介电 材料 结构 | ||
【主权项】：
一种方法，其包含：在基板上沉积高k介电质；以及直接在该高k介电质上沉积氮化钛膜，并同时蚀刻该高k介电质。
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H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
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