[发明专利]一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器在审

专利信息
申请号: 201610056482.1 申请日: 2016-01-26
公开(公告)号: CN105743443A 公开(公告)日: 2016-07-06
发明(设计)人: 林俊明;章国豪;张志浩;余凯;黄亮 申请(专利权)人: 广东工业大学
主分类号: H03F1/02 分类号: H03F1/02;H03F1/32;H03F3/19;H03F3/21
代理公司: 广州市南锋专利事务所有限公司 44228 代理人: 刘媖
地址: 510090 广东*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明公开了一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器,包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;信号源通过输入匹配电路连接功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,偏置电路B也连接此栅极;偏置电路A连接功率放大电路的其余晶体管的栅极,这些栅极通过连接栅极电容接地、源极通过连接LC串联电路接地;最上层的晶体管的漏极通过输出宽带匹配电路连接负载。本发明的电路结构提高了射频功率放大器的线性度和耐压能力,同时还能提高其输出电压摆幅、工作带宽、功率效率、功率增益和最大输出功率,并有着较好的二次谐波抑制效果。
搜索关键词: 一种 线性 堆叠 结构 射频 功率放大器
【主权项】:
一种高线性度的堆叠结构的射频功率放大器,其特征在于:该射频功率放大器包括输入匹配电路,输出宽带匹配电路,偏置电路A,偏置电路B,以及至少由两个晶体管漏极源极相连堆叠起来的功率放大电路;其中,射频信号源通过所述输入匹配电路连接所述功率放大电路的最底层的晶体管的栅极,所述偏置电路B连接所述最底层晶体管的栅极;所述偏置电路A连接所述功率放大电路的除所述最底层晶体管的其余晶体管的栅极,所述其余晶体管的栅极通过连接栅极电容接地;所述其余晶体管的源极通过连接LC串联电路接地;所述功率放大电路最上层的晶体管的漏极通过所述输出宽带匹配电路连接负载。
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