[发明专利]一种共极集成二极管有效
| 申请号： | 201610060179.9 | 申请日： | 2016-01-28 |
| 公开（公告）号： | CN105609500B | 公开（公告）日： | 2018-10-12 |
| 发明（设计）人： | 韦韬;何孟轩 | 申请（专利权）人： | 嘉兴爱禾电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/08 | 分类号： | H01L27/08 |
| 代理公司： | 北京华沛德权律师事务所 11302 | 代理人： | 房德权 |
| 地址： | 314006 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于半导体技术领域，公开了一种共极集成二极管，包括共用阳极或者阴极的多个二极管结构；包括：半导体衬底；所述半导体衬底上掺杂一低掺杂漂移区；所述低掺杂漂移区上连接两个或者两个以上的电极；其中，在所述低掺杂漂移区与所述半导体衬底之间或者在所述低掺杂漂移区内形成PN结的情况下，所述两个或者两个以上的电极到二极管结构的PN结的距离不同。本发明提供了一种空间占用率低，安全性高的多二极管集成结构。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 集成 二极管 | ||
【主权项】：
1.一种共极集成二极管，共用阳极的多个二极管的集成结构；其特征在于，包括：半导体衬底；所述半导体衬底上掺杂一低掺杂漂移区；所述低掺杂漂移区上连接两个或者两个以上的电极；其中，在所述低掺杂漂移区与所述半导体衬底之间或者在所述低掺杂漂移区内形成PN结的情况下，所述两个或者两个以上的电极到二极管结构的PN结的距离不同，在离PN结最远的一个阴极与阳极构成的二极管的低掺杂漂移区内形成多个低击穿电压的二极管；其中，所述低掺杂漂移区为N型低掺杂漂移区；所述N型低掺杂漂移区内设置一重掺杂P型区；所述重掺杂P型区的掺杂浓度比所述N型低掺杂漂移区的掺杂浓度高至少一个数量级；其中，所述重掺杂P型区构成阳极与所述两个或者两个以上的电极构成两个或者两个以上的具备不同击穿电压的共阳极二极管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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