[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201610070960.4 | 申请日： | 2009-07-30 |
| 公开（公告）号： | CN105514124B | 公开（公告）日： | 2020-02-18 |
| 发明（设计）人： | 山崎舜平;宫入秀和;秋元健吾;白石康次郎 | 申请（专利权）人： | 株式会社半导体能源研究所 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L29/786 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 侯颖媖 |
| 地址： | 日本神*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及半导体装置及其制造方法，其目的在于提供具有电特性及可靠性高的薄膜晶体管的半导体装置及量产性高地制造该半导体装置的方法。本发明的要旨在于：包括作为半导体层使用含有铟(In)、镓(Ga)及锌(Zn)的氧化物半导体膜，并且在半导体层与源电极层和漏电极层之间设置有由金属氧化物层构成的缓冲层的反交错型(底栅结构)的薄膜晶体管。通过在源电极层和漏电极层与半导体层之间意图性地设置金属氧化物层作为缓冲层来形成欧姆接触。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种半导体装置，包括：薄膜晶体管，包括：栅电极；所述栅电极上的栅绝缘层；所述栅绝缘层上的氧化物半导体层；所述氧化物半导电层上的第一金属氧化物层；所述第一金属氧化物层上的第一导电层；所述氧化物半导体层上的第二金属氧化物层；和所述第二金属氧化物层上的第二导电层；以及所述氧化物半导体层上的绝缘层，该绝缘层与所述氧化物半导体层的顶表面相接触，其中，所述第一金属氧化物层和所述第二金属氧化物层之间的间隙小于所述第一导电层和所述第二导电层之间的间隙。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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