[发明专利]一种新型高压LED的制作方法

摘要

本发明提供一种新型高压LED的制作方法，所述制作方法包括：在生长衬底上进行外延层沉积；形成隔离沟槽；mesa平台刻蚀、形成反射金属层；形成隔离金属层；形成第一绝缘层；形成互联金属层；形成第二绝缘层；形成键合金属层；键合导热衬底；移除蓝宝石生长衬底；制作p电极等步骤。本发明通过剥离低导电的生长衬底，将发光体转移到高导热率的衬底上来提高芯片的散热能力。本发明制作的高压LED具有良好的散热性以及易封装性等特点，适用于大规模工艺生产中。

主权项

1.一种新型高压LED的制作方法，其特征在于，所述制作方法至少包括：1)提供生长衬底，在所述生长衬底上生长外延层，所述外延层包括N型GaN层、生长在所述N型GaN层表面的多量子阱层以及生长在所述多量子阱层表面的P型GaN层；2)刻蚀所述外延层，形成暴露所述生长衬底的隔离沟槽，使所述外延层形成多个相互独立的芯片；3)刻蚀每个芯片的外延层，形成暴露所述N型GaN层的开口；4)在所述P型GaN层表面形成反射金属层，在所述反射金属层上覆盖隔离金属层；5)在所述外延层和隔离金属层表面覆盖第一绝缘层，在所述开口中第一绝缘层表面开孔，暴露出所述N型GaN层，同时在所述第一绝缘层表面开孔，形成暴露所述隔离金属层的互联窗口，其中第一个芯片中所述隔离金属层表面不开孔；6)在所述第一绝缘层表面、开口以及互联窗口中填充互联金属层，使相邻芯片的隔离金属层与N型GaN层电连，形成串联结构；7)在所述第一绝缘层和互联金属层表面覆盖第二绝缘层，其中，在最末尾芯片表面的第二绝缘层上形成N电极接触孔；8)在所述第二绝缘层和互联金属层表面以及隔离沟槽中覆盖键合金属层，通过所述键合金属层将步骤7)获得的结构与导热衬底键合；9)剥离所述生长衬底，从背面依次刻蚀所述第一个芯片的N型GaN层、多量子阱层以及P型GaN层，形成暴露反射金属层的P电极接触孔；10)形成第三绝缘层，刻蚀所述P电极接触孔中的第三绝缘层，在所述P电极接触孔中填充与第一个芯片的反射金属层电连的P电极。