[发明专利]具低翘曲度的驱动晶片及其制造方法在审
申请号: | 201610076584.X | 申请日: | 2016-02-03 |
公开(公告)号: | CN107039235A | 公开(公告)日: | 2017-08-11 |
发明(设计)人: | 杨毓儒;卢智宏 | 申请(专利权)人: | 奕力科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/02 | 分类号: | H01L21/02;H01L21/78;G09G3/36;G02F1/13;G02F1/1333 |
代理公司: | 北京泰吉知识产权代理有限公司11355 | 代理人: | 张雅军 |
地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种具低翘曲度的驱动晶片,包含一层配置电路层、一层第一介电层,及一层第二介电层。该配置电路层包括一个金属区。该第一介电层形成于该金属区且具有多个次沟槽。该第二介电层形成于该第一介电层且具有多个主沟槽。本发明的功效,利用所述主沟槽是凹设于该第二介电层,以形成不连续表面来局部释放成膜过程中所累积的残留应力,借此达成降低晶片整体翘曲度的目的。本发明另提供一种制造上述具低翘曲度的驱动晶片的制造方法。 | ||
搜索关键词: | 具低翘 曲度 驱动 晶片 及其 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种具低翘曲度的驱动晶片,包含一层配置电路层、一层第一介电层,及一层第二介电层,该配置电路层包括一个具有一个连接面的金属区,该第一介电层形成于该金属区的该连接面,并包括一个相反于该连接面的第一顶面,该第二介电层形成于该第一介电层的该第一顶面,并包括一个相反于该第一顶面的第二顶面,其特征在于:该第二介电层还包括多个自该第二顶面朝该第一介电层凹设的主沟槽,该具低翘曲度的驱动晶片还包含一种用于填设所述主沟槽的主绝缘材。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
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