[发明专利]一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法

摘要

本发明公开了一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，该方法针对外延SOI外延层进行电阻率的测量，为了达到测量精准的效果，首先对外延SOI表面进行特定的预处理，使表面的缺陷及电学参数达到所需要求。再施加特定电压，根据C‑V曲线算出电阻率。最终结果误差小于0.1％。本发明为非接触式测量，具有非破坏性、无损伤性、可重复利用等优点。在实际生产中，被测外延SOI仍然可以使用。大大的提高了产品良率，节约了成本。

主权项

一种非接触无损伤的测量外延SOI外延层电阻率的方法，其特征在于：所述外延层为P型或N型，测试过程包括如下步骤：(1)将外延SOI产品放入反应室；(2)反应室中通入臭氧或者同时通入臭氧和水蒸气，通入时间为3‑10秒，以使反应室内成为臭氧或者臭氧和水蒸气的环境；(3)反应室中通入气体的同时加热至200‑400℃；(4)在200‑400℃条件下，气体通入时间保持100‑300秒，用于在外延SOI表面产生一层自然氧化层；(5)反应室加热至400‑600℃，在400‑600℃条件下，气体通入时间保持100‑500秒，用于使步骤(4)产生的氧化层更加致密；(6)反应室中通入氮气，使反应室降温至室温；(7)取出外延SOI放入测试台上，同时施加主电压和偏移电压；主电压范围为1‑3V，偏移电压小于4V；(8)通过A‑CV法测量得到外延SOI外延层电阻率值。