[发明专利]SiC MOSFET器件单元及其制造方法

摘要

本发明提供了一种SiC MOSFET器件单元及其制造方法，SiC MOSFET器件单元包括源极层、绝缘层、N+源极层、多晶硅栅层、栅极绝缘层、漏极层、P阱、P+区、P型植入区，绝缘层位于源极层和多晶硅栅层之间，栅极绝缘层位于多晶硅栅层的外侧，N+源极层位于栅极绝缘层和P+区之间，漏极层位于P型植入区的下方，P+区位于P阱内，P型植入区位于栅极绝缘层的下面。本发明在以高参杂浓度的N型SiC为衬底区的状况下，仍可使用传统的P型Silicon不需提高P井区的参杂浓度和深度，可以提供低导通电压和低导通电阻的特性且没有电子迁移率下降的问题。

主权项

1.一种SiCMOSFET器件单元的制造方法，其特征在于，包括以下步骤：步骤一，在N型基质上沉积N型的SiC层，在N型的SiC层上方则再沉积一般的P型硅层；步骤二，第一栅极沟槽曝光显影及蚀刻；步骤三，在蚀刻及光阻去除后作P型离子植入；步骤四，栅极沟槽介电层沉积；步骤五，N型多晶硅沉积及回蚀刻形成栅极结构；步骤六，N型重掺杂离子植入，N型重掺杂浓度要求大于步骤三的P型离子植入浓度；步骤七，第二沟槽曝光显影及蚀刻，第二沟槽位于第一栅极沟槽的一侧；步骤八，P型SiC垒晶在N+源极层的中间沉积，P型SiC的掺杂浓度大于P型硅的掺杂浓度；步骤九，介电层在第二沟槽和第一栅极沟槽上沉积及连接曝光显影及蚀刻，金属层沉积曝光显影及蚀刻。