[发明专利]薄膜晶体管及其制备方法以及评价薄膜晶体管特性的方法

摘要

本发明涉及一种薄膜晶体管及其制备方法以及评价薄膜晶体管特性的方法。所述薄膜晶体管包括的源极和漏极位于有源层上方，且源极、漏极与有源层之间设有第一绝缘层，第一绝缘层中设有源极接触孔，漏极包括第一漏极区和n个相同的第二漏极区，n≥2；n个第二漏极区环绕第一漏极区设置，且n个第二漏极区彼此相分离；第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设有漏极接触孔；第一绝缘层下方设置有n个导电连接区，每个导电连接区与第一漏极区对应，且与一个第二漏极区对应；第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设有n个第一接触孔；第一绝缘层中与每个第二漏极区对应的区域设有一个第二接触孔。利用上述薄膜晶体管测试TFT特性时，可以提高准确性。

主权项

1.一种薄膜晶体管，包括有源层、源极和漏极，所述源极和漏极位于有源层上方，且所述源极、漏极与有源层之间设置有第一绝缘层，所述第一绝缘层中设置有源极接触孔，以使源极和有源层接触，其特征在于，所述漏极包括第一漏极区和n个相同的第二漏极区，n为大于1的正整数；所述n个第二漏极区环绕所述第一漏极区设置，且所述n个第二漏极区彼此相分离，并且每个第二漏极区与所述第一漏极区之间在漏极所在层上相分离；所述第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设置有漏极接触孔，以使所述第一漏极区与有源层接触；所述第一绝缘层下方设置有n个导电连接区，每个导电连接区与第一漏极区对应，且分别与一个第二漏极区对应；所述第一绝缘层中与第一漏极区对应的区域设置有n个第一接触孔，用以使所述第一漏极区分别与n个导电连接区接触；所述第一绝缘层中与每个第二漏极区对应的区域设置有一个第二接触孔，以使每个第二漏极区和与其对应的导电连接区接触；所述第一漏极区通过贯穿所述第一绝缘层的漏极接触孔与所述有源层相连，所述源极通过贯穿所述第一绝缘层的源极接触孔与所述有源层相连。