[发明专利]场致离子发射体的制备方法在审
| 申请号： | 201610104405.9 | 申请日： | 2016-02-25 |
| 公开（公告）号： | CN105609394A | 公开（公告）日： | 2016-05-25 |
| 发明（设计）人： | 刘宇明;张凯;李蔓;赵春晴;刘向鹏 | 申请（专利权）人： | 北京卫星环境工程研究所 |
| 主分类号： | H01J9/02 | 分类号： | H01J9/02;F03H1/00;B82Y40/00;C23C14/24;C23C14/35 |
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| 地址： | 100094 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种场致离子发射体制备方法，包括在碳纳米管阵列表面，通过热蒸镀或者电子束蒸发、磁控溅射方法在碳纳米管阵列表面镀上一层低熔点金属铟(In)或镓(Ga)，作为场致发射的发射体。本发明的制备方法可以降低场致离子发射体的制备难度，减小发射体的尺寸，从而提高场致离子发射器的整体性能。将该发射体放入场致离子发射测试装置，其可以在1500V电压下实现发射。而一般采用微米级尖状发射体发射电压需要3000-5000V。 | ||
| 搜索关键词： | 离子 发射 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种场致离子发射体制备方法，包括如下步骤：在碳纳米管阵列表面，通过热蒸镀或者电子束蒸发、磁控溅射方法在碳纳米管阵列表面镀上一层低熔点金属铟(In)或镓(Ga)，作为场致发射的发射体。
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