[发明专利]记忆体电路

摘要

一种记忆体电路于此揭露。记忆体电路包含晶体管开关、覆盖晶体管开关的上方及周围的绝缘结构、多个设置于绝缘结构上方且呈垂直堆叠的记忆单元层、以及金属层结构。晶体管开关包含栅极结构，源极及漏极。每一记忆单元层包含与晶体管开关的源极之间以源极接触孔电性连接的导电底板、位于导电底板上的多个二极管结构、分别位于二极管结构上的多个记忆单元、以及分别位于记忆单元上，与导电底板大致成垂直排列的多个导电层。金属层结构与晶体管开关的漏极之间以漏极接触孔电性连接。如此一来，透过一个控制开关便可控制多个记忆单元层中的多个记忆单元，提高单位面积中的记忆容量，并简化三维记忆体电路的制程步骤，降低制程成本。

主权项

1.一种记忆体电路，其特征在于，包含：一晶体管开关，其包含一栅极结构，一源极及一漏极；一绝缘结构，覆盖该晶体管开关的上方及周围；多个记忆单元层，所述多个记忆单元层设置于该绝缘结构上方且呈垂直堆叠，其中所述多个记忆单元层每一者包含：一导电底板，与该晶体管开关的该源极之间以一源极接触孔电性连接；多个二极管结构，位于该导电底板上；多个记忆单元，分别位于所述多个二极管结构上，所述多个记忆单元与所述多个二极管结构一一对应连接；以及多个导电层，与该导电底板成垂直排列，一对一对应设 置于所述多个记忆单元上；以及一金属层结构，与该晶体管开关的该漏极之间以一漏极接触孔电性连接。