[发明专利]一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法

摘要

本发明公开一种量子点发光二极管、显示器以及制备方法。本发明的量子点发光二级管中，阳极为凸起曲面结构，而沉积在其上的多个功能层以及阴极同样具有凸起曲面结构，这样整个QLED为曲面状，使得靠近阳极侧的电场线更加集中，电场强度更大，从而提高空穴的注入，进而提高QLED的性能。此外，这种曲面状的QLED由于其出光面积相对平面状QLED更大，且曲面状出光面还能减小光的全反射，因此提高了QLED的光取出效率，同样提高了QLED的性能。以这种曲面状QLED为发光元件的显示器，不仅性能更高，而且还能减小不同视角产生的色差和亮度偏差。

主权项

1.一种量子点发光二极管，其特征在于，包括：衬底；阳极，设于衬底上且背向衬底凸起；多个功能层，设于阳极上；阴极，设于多个功能层上；所述多个功能层包括量子点发光层、设于量子点发光层与阴极之间的电子传输层、设于阳极与量子点发光层之间的空穴注入层、设于空穴注入层与量子点发光层之间的空穴传输层，所述多个功能层和所述阴极在对应所述阳极凸起的位置相应凸起；所述量子点发光层的材料为Ⅱ‑Ⅵ族化合物半导体、III‑V族化合物半导体、IV‑VI族化合物半导体、II‑VI族化合物半导体形成的核壳结构材料、Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体形成的核壳结构材料或Ⅳ‑Ⅵ族化合物半导体形成的核壳结构材料；在阴极与阳极之间施加电压时，所述阳极侧的电场线分布密度大于阴极侧的电场线分布密度。