[发明专利]葛根素介孔硅纳米粒及其制备方法在审
| 申请号： | 201610113453.4 | 申请日： | 2016-02-29 |
| 公开（公告）号： | CN105687138A | 公开（公告）日： | 2016-06-22 |
| 发明（设计）人： | 徐骏军;张片红;郑芳;肖世庚;陈丹飞 | 申请（专利权）人： | 浙江大学 |
| 主分类号： | A61K9/14 | 分类号： | A61K9/14;A61K31/352;A61P9/06;A61P9/10;A61P25/00 |
| 代理公司： | 杭州中成专利事务所有限公司 33212 | 代理人： | 朱莹莹 |
| 地址： | 310058 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本发明涉及医药领域，尤其涉及一种葛根素介孔硅纳米粒及其制备方法。本发明提供一种具有良好的生物相容性和缓控释特性的葛根素介孔硅纳米粒。一种葛根素介孔硅纳米粒，所述介孔硅纳米粒为氨基修饰的阳离子介孔硅纳米粒，粒径为98.4±2.8nm，Zeta电位13.2±1.8mv；葛根素的载药量为18.25±4.17％。本发明成功制备了口服葛根素阳离子介孔硅纳米粒，具有粒径均一、载药量高、良好的缓控释特性和生物相容性等特点，并且显著提高了葛根素的跨膜转运率。 | ||
| 搜索关键词： | 葛根 素介孔硅 纳米 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种葛根素介孔硅纳米粒，其特征在于：所述介孔硅纳米粒为氨基修饰的阳离子介孔硅纳米粒，粒径为98.4±2.8nm，Zeta电位13.2±1.8mv；葛根素的载药量为18.25±4.17％。
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