[发明专利]NAND FLASH闪存中状态码的验证方法及装置有效

专利信息
申请号: 201610127363.0 申请日: 2016-03-07
公开(公告)号: CN105654989B 公开(公告)日: 2020-04-24
发明(设计)人: 刘会娟 申请(专利权)人: 北京兆易创新科技股份有限公司
主分类号: G11C16/10 分类号: G11C16/10;G11C16/34
代理公司: 北京品源专利代理有限公司 11332 代理人: 胡彬;邓猛烈
地址: 100083 北京市海淀*** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种NAND FLASH闪存中状态码的验证方法和装置,该方法包括:根据状态码占位数量确定多个候选状态码;从所述多个候选状态码中查找含有的置零位数量与状态序号对应的目标状态码,除擦除状态以外所述状态序号越大相应目标状态码含有的置零位数量越小;将原状态码替换为所述目标状态码;对所述目标状态码进行编程验证。按照本发明提供的状态码能够由小到大对多个状态的状态码进行编程验证时,序号较小的状态码含有的置零位数较多,且每个状态码被识别后相应的目标状态码会被排除,因此可实现每个状态码只需要预充一次总线即可进行程序检验,大幅减少总线预充次数,提高编程验证效率。
搜索关键词: nand flash 闪存 状态 验证 方法 装置
【主权项】:
一种NAND FLASH闪存中状态码的验证方法,其特征在于,包括:根据状态码占位数量确定多个候选状态码;从所述多个候选状态码中查找含有的置零位数量与状态序号对应的目标状态码,除擦除状态以外所述状态序号越大相应目标状态码含有的置零位数量越小;将原状态码替换为所述目标状态码;对所述目标状态码进行编程验证。
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