[发明专利]半导体装置有效
| 申请号： | 201610129662.8 | 申请日： | 2013-08-16 |
| 公开（公告）号： | CN105789177B | 公开（公告）日： | 2019-07-26 |
| 发明（设计）人： | 李胜源 | 申请（专利权）人： | 威盛电子股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L27/02 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 葛青 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明公开一种半导体装置，其包括第一绝缘层及第二绝缘层，依序设置于基底上，其中基底具有中心区域。第一绕线部及第二绕线部设置于第二绝缘层内并围绕中心区域，且分别包括由内向外排列的第一导线层、第二导线层及第三导线层，且第一导线层、第二导线层及第三导线层分别具有第一端及第二端，其中第一导线层的第一端互相耦接。耦接部设置于第一绕线部该第二绕线部之间的第一绝缘层及第二绝缘层内，且耦接部包括第一对连接层，交错连接第一导线层及第二导线层的第二端。第二对连接层，交错连接第二导线层及第三导线层的第一端。其中第一导线层与相邻的第二导线层之间具有多个相同或不同的间距，且其中至少一间距大于第二导线层与相邻的第三导线层之间的间距。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置，包括：第一绝缘层及第二绝缘层，依序设置于一基底上，其中该基底具有一中心区域；第一绕线部及第二绕线部，设置于该第二绝缘层内并围绕该中心区域，且分别包括由内向外排列的第一导线层、第二导线层及第三导线层，且多个第一导线层、多个第二导线层及多个第三导线层分别具有第一端及第二端，其中该多个第一导线层的多个第一端互相耦接；以及耦接部，设置于该第一绕线部及该第二绕线部之间的该第一绝缘层及该第二绝缘层内，且该耦接部包括：第一对连接层，交错连接该多个第一导线层及该多个第二导线层的多个第二端；以及第二对连接层，交错连接该多个第二导线层及该多个第三导线层的多个第一端；其中该第一导线层与相邻的该第二导线层之间具有多个不同的间距，且其中该第一导线层与相邻的该第二导线层之间的至少一间距大于该第二导线层与相邻的该第三导线层之间的间距。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于威盛电子股份有限公司，未经威盛电子股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610129662.8/，转载请声明来源钻瓜专利网。
