[发明专利]光刻掩膜版的制造方法有效
申请号: | 201610129786.6 | 申请日: | 2016-03-08 |
公开(公告)号: | CN107168010B | 公开(公告)日: | 2020-06-09 |
发明(设计)人: | 邢滨;张城龙 | 申请(专利权)人: | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司;中芯国际集成电路制造(北京)有限公司 |
主分类号: | G03F1/68 | 分类号: | G03F1/68;G03F7/00 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 吴敏 |
地址: | 201203 *** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 一种光刻掩膜版的制造方法,包括:提供透光基底、掩膜版以及光刻胶层;对光刻胶层进行曝光处理以及显影处理,形成第一沟槽以及第二沟槽,所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度;形成填充满第一沟槽的第一掩膜层;形成填充满第二沟槽的第二掩膜层;去除光刻胶层;以第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀掩膜版直至暴露出透光基底表面,在第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜,在第二掩膜层下方形成主图形掩膜,光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度;去除第一掩膜层和第二掩膜层。本发明避免了定义光学辅助线条的掩膜倒掉的问题,提高了形成的光刻掩膜版的产品良率,减小光刻掩膜版重出的损耗。 | ||
搜索关键词: | 光刻 掩膜版 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种光刻掩膜版的制造方法,其特征在于,包括:提供透光基底以及位于透光基底顶部表面的掩膜版,所述掩膜版顶部表面形成有光刻胶层;对所述光刻胶层进行曝光处理以及显影处理,形成贯穿所述光刻胶层的第一沟槽以及第二沟槽,其中,所述第一沟槽的宽度小于第二沟槽的宽度;形成填充满所述第一沟槽的第一掩膜层;形成填充满所述第二沟槽的第二掩膜层;去除所述光刻胶层;以所述第一掩膜层以及第二掩膜层为掩膜刻蚀所述掩膜版直至暴露出透光基底表面,在所述第一掩膜层下方形成光学辅助线条掩膜,在所述第二掩膜层下方形成主图形掩膜,其中,所述光学辅助线条掩膜的宽度小于主图形掩膜的宽度;去除所述第一掩膜层和第二掩膜层。
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G03 摄影术;电影术;利用了光波以外其他波的类似技术;电记录术;全息摄影术
G03F 图纹面的照相制版工艺,例如,印刷工艺、半导体器件的加工工艺;其所用材料;其所用原版;其所用专用设备
G03F1-00 用于图纹面的照相制版的原版,例如掩膜,光掩膜;其所用空白掩膜或其所用薄膜;其专门适用于此的容器;其制备
G03F1-20 .用于通过带电粒子束(CPB)辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如通过电子束;其制备
G03F1-22 .用于通过100nm或更短波长辐照成像的掩膜或空白掩膜,例如 X射线掩膜、深紫外
G03F1-26 .相移掩膜[PSM];PSM空白;其制备
G03F1-36 .具有临近校正特征的掩膜;其制备,例如光学临近校正(OPC)设计工艺
G03F1-38 .具有辅助特征的掩膜,例如用于校准或测试的特殊涂层或标记;其制备
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