[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201610130582.4 | 申请日： | 2016-03-08 |
| 公开（公告）号： | CN105762103B | 公开（公告）日： | 2018-11-16 |
| 发明（设计）人： | 王卉;曹子贵;康军;刘宇 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/762 | 分类号： | H01L21/762;H01L27/088;H01L21/8232 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 高静;吴敏 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 一种半导体结构及其形成方法，包括：提供衬底；在衬底中形成隔离结构，用于将衬底分为第一区域和第二区域；在第一区域衬底内形成第一阱区；在第二区域衬底内形成掺杂类型与第一阱区掺杂类型不同的第二阱区；形成位于隔离结构上的伪栅结构；以伪栅结构为掩膜，在第二阱区内形成第二重掺杂区，第二重掺杂区与第二阱区的掺杂类型相同；以伪栅结构为掩膜，在第一阱区内形成第一重掺杂区，第一重掺杂区与第一阱区的掺杂类型相同。本发明通过在第一区域和第二区域交界处隔离结构上形成伪栅结构，伪栅结构可以作为形成掺杂区时的离子注入掩膜，避免重掺杂区的掺杂离子进入相邻阱区或重掺杂区内，从而可以提高相邻器件的击穿电压。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包括：提供衬底；在所述衬底中形成隔离结构，用于将所述衬底分为第一区域和第二区域；在所述第一区域衬底内形成第一阱区；在所述第二区域衬底内形成第二阱区，所述第二阱区的掺杂类型与所述第一阱区的掺杂离子类型不同；形成位于所述隔离结构上的伪栅结构；以所述伪栅结构为掩膜，在所述第二阱区内形成第二重掺杂区，所述第二重掺杂区与所述第二阱区的掺杂离子类型相同；以所述伪栅结构为掩膜，在所述第一阱区内形成第一重掺杂区，所述第一重掺杂区与所述第一阱区的掺杂离子类型相同。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201610130582.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
