[发明专利]半导体装置结构有效
| 申请号： | 201610133564.1 | 申请日： | 2016-03-09 |
| 公开（公告）号： | CN107180820B | 公开（公告）日： | 2019-10-11 |
| 发明（设计）人： | 林庭佑;涂祈吏 | 申请（专利权）人： | 世界先进积体电路股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/64 | 分类号： | H01L23/64;H01L21/768 |
| 代理公司： | 北京三友知识产权代理有限公司 11127 | 代理人： | 郭晓宇 |
| 地址： | 中国台湾新竹*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供半导体装置结构，其包含半导体基底，内金属层设置于半导体基底上，顶部金属层设置于内金属层上，顶部金属层具有第一部分及第二部分，其中第一部分完全覆盖内金属层，第二部分围绕第一部分，且第一部分与第二部分隔开，以及钝化层设置于顶部金属层上，其中钝化层具有挖空图案，以露出顶部金属层。本发明半导体装置结构的钝化层具有各种挖空图案的布局方式，这些布局方式减少钝化层所带来的压力，且顶部金属层设置于钝化层的挖空图案区的下方，能达到保护下方元件的效果。此外，以条状、片状或环状来设计顶部金属层的布局来作为钝化层与半导体基底间的缓冲结构，亦可减少在后段工艺中产生不等向的压力，避免下层的元件产生压阻效应。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 结构 | ||
【主权项】：
1.一种半导体装置结构，其特征在于，包括：一半导体基底；一内金属层，设置于该半导体基底上；一顶部金属层，设置于该内金属层上，其中该顶部金属层具有一第一部分及一第二部分，其中该第一部分完全覆盖该内金属层，该第二部分围绕该第一部分，且该第一部分与该第二部分隔开；以及一钝化层，设置于该顶部金属层上，其中该钝化层具有一挖空图案，该挖空图案包括一第一挖空区，以露出该顶部金属层。
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