[发明专利]晶圆级LED器件及其制备方法有效
| 申请号： | 201610140226.0 | 申请日： | 2016-03-11 |
| 公开（公告）号： | CN105633252B | 公开（公告）日： | 2023-09-26 |
| 发明（设计）人： | 谢安;张旻澍;陈文哲;林文倩 | 申请（专利权）人： | 厦门理工学院 |
| 主分类号： | H01L33/54 | 分类号： | H01L33/54;H01L33/58 |
| 代理公司： | 北京察格专利代理事务所(普通合伙) 16129 | 代理人： | 杨丰佳 |
| 地址： | 361024 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开一种晶圆级LED器件的制备方法，包括：提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。本发明还涉及一种由上述方法获得的一种晶圆级LED器件。 | ||
| 搜索关键词： | 晶圆级 led 器件 及其 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种晶圆级LED器件的制备方法，包括以下步骤：S1，提供一LED预制件，包括基板、安装在所述基板上的LED芯片；S2，在所述基板上形成限位槽，所述限位槽环绕所述LED芯片，且所述限位槽的深度沿远离所述LED芯片的方向逐步加深；S3，在所述LED芯片上方进行点胶，使所述点胶覆盖所述LED芯片并延伸到所述限位槽，然后将其冷却到室温使其固化形成封装透镜层。
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